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从生产与设计两个方面追求使用铜与低导电率膜,从而达到多层布线的高速化,已受到重视。迄今主要通过改善生产工艺来实现高速化。今后,除了生产工艺外,设计技巧也需改进。通过准确提取布线的寄生分量,尽量减少多余的设计估计值,把布线本来具有的性能优势最大限度地发挥出来,就能实现芯片运行最快速化。
通过相互削弱晶体管与布线的延迟来实现芯片的高速运行。但在0.25mm线宽之后,布线延迟将居于支配地位,芯片中布线的作用开始变得非常重要了,因此,在0.25mm之后对布线实现高速化的尝试特别活跃。但是,在0.25~0.18mm,通过改进生产工艺来实现高速化仍是主体。在设计方面并无大的变化。
生产工艺改进的典型例子是把过去的铝改为低电阻的铜,从而降低了布线电阻。在0.25mm上IBM公司抢占了先机,对0.18mm大多数芯片制造商都一齐采用了。在这一时期,层间绝缘膜采用了SiOF,介电常数比为3.5左右,比之过去的SiO2有所降低,但降低布线电容的效果却不大。不过,由于材料组成与SiO2相近,成膜及加工的工艺技术稍作改动即可,故许多芯片制造商都已采用。
设计方法无需大改动有
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